数据列表:BSL207N
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 阵列
系列:OptiMOS??
包装:带卷(TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.1A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 2.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):419pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:PG-TSOP6-6
其它名称:BSL207N L6327-NDBSL207NL6327BSL207NL6327HTSA1SP000442426